激活深度≥7µm

单位小时产出＞25 @8"

优异的方阻均匀性和表面颜色

完整的全程监控反馈能力

支持超薄片、TAIKO片、翘曲片退火

具备激光辅助加热系统

薄膜去除深度灵活，最小支持深度0.33µm

支持晶圆制造中各类无机/金属薄膜去除，如：oxide/nitride/poly si/metal

优异的平整度均匀性，表面几乎零缺陷

精密的激光控制系统，热影响小

零耗材、低污染，成本优势明显

产能优异

兼容8~12寸晶圆

兼容性好，可同时切割4~12寸及不同厚度的晶圆

支持蓝宝石、硅、碳化硅、钽酸锂等衬底材质

良好的定位精度及重复定位精度

切割质量高，直线度好，无崩边、裂痕

切割区域影响小，切割道≤20µm