应用原理 / Principle

Light-Induced Annealing（LIA）： α-Si：H/c-Si的界面存在大量的界面态（Si悬挂键），研究发现，在光照的情况下，对此结构进行加热退火，可以有效减少界面态（Si悬挂键）密度，降低界面复合，从而提高非晶硅的钝化效果。这个现象称之为光诱导退火，简称LIA；HJT电池结构中，存在α-Si：H /c-Si的界面；在光照情况下，对HJT电池进行加热退火，发现电池转换效率明显上升，主要体现在Voc和FF的提升上。